Ostaa IXTU05N100 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXTU05N100
- Osa numero:
- IXTU05N100
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19603 Pieces
- Tietolomake:
- IXTU05N100.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXTU05N100, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTU05N100 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-251 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 17 Ohm @ 375mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 40W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IXTU05N100 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 260pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.8nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 1000V (1kV) 750mA (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-251 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 750mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXTU05N100
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
FDD8453LZ_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 50A DPAK | tiedustelu |
 |
IRFS52N15DTRRP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK | tiedustelu |
 |
IXTU06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251 | tiedustelu |
 |
DMN3010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 43A TO252 | tiedustelu |
|
IXTU02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251 | tiedustelu |
 |
STP90NF03L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 90A TO-220 | tiedustelu |
 |
IXFP4N85X | IXYS | MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220-3 | tiedustelu |
|
IXTU01N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251 | tiedustelu |
|
IXTU01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251 | tiedustelu |
|
IXTU05N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251 | tiedustelu |
 |
SI7121ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V D-S PPAK 1212-8 | tiedustelu |
 |
5HP01M-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 50V 0.07A MCP3 | tiedustelu |
 |
IRFP32N50KPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 32A TO-247AC | tiedustelu |
 |
IXTT52N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 52A TO-268 | tiedustelu |
 |
IRF7822PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC | tiedustelu |
|
IXTU08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251 | tiedustelu |
 |
IRF6720S2TR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET | tiedustelu |
|
IXTU01N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers