Ostaa MIO 600-65E11 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
MIO 600-65E11
- Osa numero:
- MIO 600-65E11
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOD IGBT SGL SWITCH 6500V E11
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12902 Pieces
- Tietolomake:
- MIO 600-65E11.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä MIO 600-65E11, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MIO 600-65E11 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 6500V |
|---|---|
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 4.2V @ 15V, 600A |
| Toimittaja Device Package: | E11 |
| Sarja: | - |
| Virta - Max: | - |
| Pakkaus / Case: | E11 |
| Käyttölämpötila: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| NTC Thermistor: | No |
| Asennustyyppi: | Chassis Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | MIO 600-65E11 |
| Input kapasitanssi (Cies) @ Vce: | 150nF @ 25V |
| panos: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | NPT |
| Laajennettu kuvaus: | IGBT Module NPT Single Switch 6500V 600A Chassis Mount E11 |
| Kuvaus: | MOD IGBT SGL SWITCH 6500V E11 |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 120mA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 600A |
| kokoonpano: | Single Switch |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat MIO 600-65E11
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
MIO1200-33E11 | IXYS | IGBT MODULE SGL 1200A E11 | tiedustelu |
|
MIO1200-25E10 | IXYS | MOD IGBT SGL SWITCH 2500V E10 | tiedustelu |
|
MIO1200-33E10 | IXYS | MOD IGBT SGL SWITCH 3300V E10 | tiedustelu |
|
MIO1500-25E10 | IXYS | IGBT MODULE SGL 1500A E10 | tiedustelu |
|
MIO600-65E11 | IXYS | IGBT MODULE SGL 600A E11 | tiedustelu |
 |
IXDN55N120D1 | IXYS | IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B | tiedustelu |
|
MIO2400-17E10 | IXYS | MOD IGBT SGL SWITCH 1700V E10 | tiedustelu |
|
MIO1800-17E10 | IXYS | MOD IGBT SGL SWITCH 1700V E10 | tiedustelu |
 |
VS-GB90DA60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR | tiedustelu |
 |
VS-GB100TP120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog