MMDF2C03HDR2G
Osa numero:
MMDF2C03HDR2G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14095 Pieces
Tietolomake:
MMDF2C03HDR2G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä MMDF2C03HDR2G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MMDF2C03HDR2G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa MMDF2C03HDR2G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Toimittaja Device Package:8-SOIC
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:70 mOhm @ 3A, 10V
Virta - Max:2W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:MMDF2C03HDR2GOS
MMDF2C03HDR2GOS-ND
MMDF2C03HDR2GOSTR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:MMDF2C03HDR2G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:630pF @ 24V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
FET tyyppi:N and P-Channel
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.1A, 3A 2W Surface Mount 8-SOIC
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:4.1A, 3A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit