Ostaa NE55410GR-AZ BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
NE55410GR-AZ
- Osa numero:
- NE55410GR-AZ
- Valmistaja:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Kuvaus:
- FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19071 Pieces
- Tietolomake:
- 1.NE55410GR-AZ.pdf2.NE55410GR-AZ.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä NE55410GR-AZ, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NE55410GR-AZ sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 28V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 65V |
| transistori tyyppi: | LDMOS |
| Toimittaja Device Package: | 16-HTSSOP |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 35.4dBm |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | 16-DFF, Exposed Pad |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | NE55410GR-AZ |
| Saada: | 13.5dB |
| Taajuus: | 2.14GHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet LDMOS 28V 20mA 2.14GHz 13.5dB 35.4dBm 16-HTSSOP |
| Kuvaus: | FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP |
| Nykyinen arvostelu: | 250mA, 1A |
| Nykyinen - Testi: | 20mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat NE55410GR-AZ
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
NE3511S02-T1C-A | CEL | IC AMP RF LNA 13.5DB S02 | tiedustelu |
 |
LET9045S | STMicroelectronics | TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A | tiedustelu |
 |
AFT09S200W02GNR3 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 960MHZ PLD | tiedustelu |
 |
MRFG35003NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD | tiedustelu |
 |
NE55410GR-T3-AZ | CEL | FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP | tiedustelu |
 |
PTFC262808SVV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | tiedustelu |
 |
MRF6S19060NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.93GHZ TO270-4 | tiedustelu |
 |
ATF-541M4-BLK | Broadcom Limited | IC ENHANCED MOD SUDIOMORPHIC HEM | tiedustelu |
 |
IXZR18N50B-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | tiedustelu |
 |
BLF574XRS,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214B | tiedustelu |
 |
ATF-38143-TR1G | Broadcom Limited | IC PHEMT 1.9GHZ 4.5V 10MA SOT343 | tiedustelu |
|
BF1102R,135 | NXP USA Inc. | FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP | tiedustelu |
 |
CGH40025F | Cree/Wolfspeed | FET RF 84V 6GHZ 440166 | tiedustelu |
 |
MRFE6VP8600HSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog