NVD5807NT4G-VF01
NVD5807NT4G-VF01
Osa numero:
NVD5807NT4G-VF01
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15332 Pieces
Tietolomake:
NVD5807NT4G-VF01.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NVD5807NT4G-VF01, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NVD5807NT4G-VF01 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NVD5807NT4G-VF01 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:DPAK
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:31 mOhm @ 5A, 10V
Tehonkulutus (Max):33W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:NVD5807NT4G
NVD5807NT4G-ND
NVD5807NT4G-VF01TR
NVD5807NT4GOSTR-ND
NVD6820NLT4G-VF01
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:25 Weeks
Valmistajan osanumero:NVD5807NT4G-VF01
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:603pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 40V 23A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount DPAK
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):40V
Kuvaus:MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit