Ostaa NVD5862NT4G-VF01 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | DPAK-3 |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 5.7 mOhm @ 48A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 4.1W (Ta), 115W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Muut nimet: | NVD5802NT4G-VF01 NVD5862NT4G NVD5862NT4G-ND |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 4 Weeks |
Valmistajan osanumero: | NVD5862NT4G-VF01 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 6000pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 82nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 18A (Ta), 98A (Tc) 4.1W (Ta), 115W (Tc) Surface Mount DPAK-3 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 18A (Ta), 98A (Tc) |
Email: | [email protected] |