NVD5890NT4G-VF01
NVD5890NT4G-VF01
Osa numero:
NVD5890NT4G-VF01
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17484 Pieces
Tietolomake:
NVD5890NT4G-VF01.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NVD5890NT4G-VF01, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NVD5890NT4G-VF01 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NVD5890NT4G-VF01 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:DPAK-3
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:3.7 mOhm @ 50A, 10V
Tehonkulutus (Max):4W (Ta), 107W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:NVD5807NT4G-VF01
NVD5890NT4G
NVD5890NT4G-ND
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:13 Weeks
Valmistajan osanumero:NVD5890NT4G-VF01
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:4760pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:100nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 40V 24A (Ta), 123A (Tc) 4W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount DPAK-3
Valua lähde jännite (Vdss):40V
Kuvaus:MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:24A (Ta), 123A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit