Ostaa RJM0603JSC-00#12 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
RJM0603JSC-00#12
- Osa numero:
- RJM0603JSC-00#12
- Valmistaja:
- Renesas Electronics America
- Kuvaus:
- MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12972 Pieces
- Tietolomake:
- RJM0603JSC-00#12.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä RJM0603JSC-00#12, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RJM0603JSC-00#12 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | 20-HSOP |
| Sarja: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 20 mOhm @ 10A, 10V |
| Virta - Max: | 54W |
| Pakkaus: | Tray |
| Pakkaus / Case: | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
| Käyttölämpötila: | 175°C |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | RJM0603JSC-00#12 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2600pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 43nC @ 10V |
| FET tyyppi: | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 20A 54W Surface Mount 20-HSOP |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
| Kuvaus: | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 20A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat RJM0603JSC-00#12
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
QS6J3TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 | tiedustelu |
 |
APTM100H80FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 | tiedustelu |
 |
DMG1026UV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563 | tiedustelu |
 |
SSM6N7002KFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.3A | tiedustelu |
 |
RJM0603JSC-00#13 | Renesas Electronics America | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP | tiedustelu |
 |
SI3948DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP | tiedustelu |
 |
NTLGD3502NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN | tiedustelu |
 |
SI5915BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 | tiedustelu |
|
APTM100H35FT3G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3 | tiedustelu |
|
SI5904DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8 | tiedustelu |
 |
DMP4047SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SOIC | tiedustelu |
 |
IRF7910TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers