Ostaa SIA438EDJ-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.4V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 46 mOhm @ 3.9A, 4.5V |
Tehonkulutus (Max): | 2.4W (Ta), 11.4W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | PowerPAK® SC-70-6 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | SIA438EDJ-T1-GE3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 350pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 20V 6A (Tc) 2.4W (Ta), 11.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
Email: | [email protected] |