Ostaa SIZ910DT-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
---|---|
Toimittaja Device Package: | 8-PowerPair® |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 5.8 mOhm @ 20A, 10V |
Virta - Max: | 48W, 100W |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 8-PowerWDFN |
Muut nimet: | SIZ910DT-T1-GE3TR SIZ910DTT1GE3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 24 Weeks |
Valmistajan osanumero: | SIZ910DT-T1-GE3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1500pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
FET tyyppi: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 40A 48W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® |
Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
Kuvaus: | MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 40A |
Email: | [email protected] |