Ostaa SPB42N03S2L-13 G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SPB42N03S2L-13 G
- Osa numero:
- SPB42N03S2L-13 G
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15078 Pieces
- Tietolomake:
- SPB42N03S2L-13 G.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SPB42N03S2L-13 G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SPB42N03S2L-13 G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 37µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO263-3-2 |
| Sarja: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 12.6 mOhm @ 21A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 83W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Muut nimet: | SP000200137 SPB42N03S2L13GXT |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | SPB42N03S2L-13 G |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1130pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 30.5nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 42A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 42A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SPB42N03S2L-13 G
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFU020PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK | tiedustelu |
 |
SPB42N03S2L-13 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK | tiedustelu |
 |
FDA62N28 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 280V 62A TO-3P | tiedustelu |
|
SPB42N03S2L13T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK | tiedustelu |
 |
CSD17551Q3A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 12A 8VSON | tiedustelu |
 |
NTTFS5C673NLTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 13A WDFN8 | tiedustelu |
|
IRF630SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | tiedustelu |
 |
IRFP4332PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 57A TO-247AC | tiedustelu |
 |
SIE848DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK | tiedustelu |
 |
IXTA180N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 180A TO-263 | tiedustelu |
 |
SSM3K302T(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 3A TSM | tiedustelu |
 |
DMG7401SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog