Ostaa SPB42N03S2L-13 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SPB42N03S2L-13
- Osa numero:
- SPB42N03S2L-13
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18825 Pieces
- Tietolomake:
- SPB42N03S2L-13.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SPB42N03S2L-13, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SPB42N03S2L-13 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 37µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO263-3-2 |
| Sarja: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 12.6 mOhm @ 21A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 83W (Tc) |
| Pakkaus: | Cut Tape (CT) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Muut nimet: | SPB42N03S2L13 SPB42N03S2L13INCT |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | SPB42N03S2L-13 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1130pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 30.5nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 42A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 42A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SPB42N03S2L-13
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
PMPB15XPZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 12V SOT1220 | tiedustelu |
 |
SPB42N03S2L-13 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK | tiedustelu |
 |
FDB9403_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB | tiedustelu |
|
SPB42N03S2L13T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK | tiedustelu |
|
AUIRL1404ZSTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK | tiedustelu |
 |
ZVNL120CSTZ | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 | tiedustelu |
 |
SPP24N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-220 | tiedustelu |
 |
NTD85N02RT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 24V 12A DPAK | tiedustelu |
|
HUFA75337S3S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | tiedustelu |
|
IRF3314STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V D2PAK | tiedustelu |
 |
NVLUS4C12NTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10.7A 6UDFN | tiedustelu |
 |
IPI80N04S2H4AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog