Ostaa SPI10N10L BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 21µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-TO262-3-1 |
Sarja: | SIPMOS® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 154 mOhm @ 8.1A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 50W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Muut nimet: | SP000013850 SPI10N10LX |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | SPI10N10L |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 444pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 10.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |