Ostaa IXTP02N120P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXTP02N120P
- Osa numero:
- IXTP02N120P
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14624 Pieces
- Tietolomake:
- IXTP02N120P.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXTP02N120P, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTP02N120P sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 100µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-220AB |
| Sarja: | Polar™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 75 Ohm @ 100mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 33W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXTP02N120P |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 104pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.7nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 1200V (1.2kV) 200mA (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 200mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXTP02N120P
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
FQU4P25TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 250V 3.1A IPAK | tiedustelu |
 |
IRFHM8235TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN | tiedustelu |
 |
IXTP05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220 | tiedustelu |
 |
IPB015N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 | tiedustelu |
 |
PSMN2R6-30YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | tiedustelu |
|
IXTP05N100M | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220 | tiedustelu |
|
IXTP02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220 | tiedustelu |
 |
IXKN75N60C | IXYS | MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B | tiedustelu |
|
IXTP08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB | tiedustelu |
|
IXTP08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 | tiedustelu |
 |
IPP200N25N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3 | tiedustelu |
|
IXTP01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB | tiedustelu |
 |
NDD60N900U1-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-3 | tiedustelu |
 |
IPI80N08S207AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3 | tiedustelu |
|
IXTP06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220 | tiedustelu |
|
IXTP05N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263 | tiedustelu |
|
IXTP08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220 | tiedustelu |
 |
IXFH94N30T | IXYS | MOSFET N-CH 300V 94A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTP08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog