Ostaa IXTP06N120P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXTP06N120P
- Osa numero:
- IXTP06N120P
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12689 Pieces
- Tietolomake:
- IXTP06N120P.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXTP06N120P, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTP06N120P sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 50µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-220AB |
| Sarja: | PolarVHV™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 32 Ohm @ 500mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 42W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXTP06N120P |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 270pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 13.3nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 1200V (1.2kV) 600mA (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 600mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXTP06N120P
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTP02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220 | tiedustelu |
|
IXTP05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220 | tiedustelu |
 |
R8005ANX | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 5A TO220 | tiedustelu |
|
IXTP01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB | tiedustelu |
 |
BSS7728NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 | tiedustelu |
|
IXTP02N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220 | tiedustelu |
|
IXTP08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB | tiedustelu |
 |
STD70N02L-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 25V 60A IPAK | tiedustelu |
 |
FQPF2N40 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 1.1A TO-220F | tiedustelu |
|
IXTP05N100M | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220 | tiedustelu |
 |
IXFK140N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 140A TO-264 | tiedustelu |
|
IXTP05N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263 | tiedustelu |
|
IXTP08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB | tiedustelu |
 |
STD110NH02LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 24V 80A DPAK | tiedustelu |
 |
FQI19N20TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 19.4A I2PAK | tiedustelu |
 |
HRF3205 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 100A TO-220AB | tiedustelu |
 |
JANTX2N7225 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH | tiedustelu |
|
IXTP08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 | tiedustelu |
|
IXTP08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220 | tiedustelu |
 |
SIR774DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog