Ostaa IXTP08N50D2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXTP08N50D2
- Osa numero:
- IXTP08N50D2
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14254 Pieces
- Tietolomake:
- IXTP08N50D2.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXTP08N50D2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTP08N50D2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | - |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-220AB |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 4.6 Ohm @ 400mA, 0V |
| Tehonkulutus (Max): | 60W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXTP08N50D2 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 312pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 12.7nC @ 5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | Depletion Mode |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 500V 800mA (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 500V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 800mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXTP08N50D2
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BSL202SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 7.5A 6TSOP | tiedustelu |
 |
PHB23NQ10LT,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK | tiedustelu |
 |
IXTP05N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263 | tiedustelu |
|
IXTP08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB | tiedustelu |
 |
IRFS7434PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK | tiedustelu |
|
IXTP08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220 | tiedustelu |
 |
NTNS3A91PZT5G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.223A XLLGA3 | tiedustelu |
 |
SI8800EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V MICROFOOT | tiedustelu |
|
IXTP01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB | tiedustelu |
|
IXTP08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 | tiedustelu |
 |
SSM3K341R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 6A | tiedustelu |
|
IXTP02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220 | tiedustelu |
 |
FQD7P06TM_NB82050 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK | tiedustelu |
|
IXTP05N100M | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220 | tiedustelu |
|
IXTP05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220 | tiedustelu |
|
IXTP02N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220 | tiedustelu |
|
IXTP06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers